Инженеры из Калифорнийского университета создали самый тонкий сегнетоэлектрик. Результаты работы опубликованы в журнале Science.
Сегнетоэлектрики снижают мощность, потребляемую сверхмалыми электронными устройствами. Эти вещества обладают спонтанной поляризацией, направление которой может быть изменено с помощью внешнего напряжения. Это открывает новые перспективы для сверхмаломощной микроэлектроники.
Однако, если сегнетоэлектрики толще нескольких нанометров, то они теряют свои свойства, что делает их несовместимыми с современными кремниевыми технологиями. В новом исследовании инженеры решили проблему, создав сегнетоэлектрик тоньше человеческого волоса в 200 тыс. раз. Исследователи обнаружили стабильное сегнетоэлектричество в ультратонком слое диоксида циркония толщиной всего в половину нанометра.
После чего в качестве эксперимента команда вырастила этот материал непосредственно на кремнии и переключила поляризацию в ультратонком материале в обе стороны с помощью небольшого напряжения. Так они продемонстрировали самую тонкую рабочую память, когда-либо созданную для кремния.