Китай активно изучает возможности производства собственной памяти с высокой пропускной способностью (HBM) – следующего поколения микросхем памяти, предназначенных для процессоров искусственного интеллекта. Это часть усилий страны по достижению независимости и самодостаточности в сфере полупроводников на фоне нарастающих американских санкций.
Хотя Китаю будет непросто догнать мировых лидеров вроде SK Hynix, Samsung и Micron из-за влияния американских санкций, китайское правительство решило, что страна во что бы то ни стало должна стать самодостаточной в производстве HBM, даже если на это уйдут годы.
По данным отраслевых источников, лучшие шансы в Китае создать собственные HBM есть у крупнейшего производителя DRAM-решений ChangXin Memory Technologies (CXMT). Однако на вывод продукта в массовое производство может уйти до 4 лет.
Спрос на HBM чипы в 2023 году, по предварительным прогнозам, вырастет почти на 60% в связи с бурным развитием нейросетевых моделей и колоссальных мощностей, требуемых для их обучения.
Напомним, буквально сегодня мы сообщали о том, что китайская компания Huawei в скором времени может представить свой собственный GPU, сопоставимый по мощности с передовыми разработками Nvidia. В то время как собственное производство высокоскоростной памяти лишь приблизит Поднебесную к полной технологической независимости в сфере ИИ и машинного обучения.
Таким образом, Китай активными темпами продолжает усилия по достижению суверенитета в сфере полупроводников. HBM станет очередным шагом на этом пути, несмотря на текущее технологическое отставание от лидеров рынка.